三星半導(dǎo)體這幾年，小日子過的有些不順。
別的不說，差友摸摸自己的手機(jī)，看看三星晶圓廠代工的 888 、 8gen1 ，簡直可以說是冬天的暖手寶，夏日的燙手山芋。
好不容易代工出來的產(chǎn)品成了人人喊打的 “ 過街老鼠 ” ，而且芯片生產(chǎn)的良品率也不行。
甚至就連三星自己都心頭納悶啊，事后回過味來，你說為啥我自個的芯片工藝，良品率會這么差呢？
這不，上上上上個月展開了調(diào)查，結(jié)果到現(xiàn)在也還沒個說法。
而且作為全球十大半導(dǎo)體公司，在大家都在喊著缺芯缺芯的時候，三星反而成了唯一一個第一季度收入下降的公司。。。
看著上頭的臺積電，羨慕的臉都要綠了。
所以說，當(dāng)年這能造相機(jī)，能造手機(jī)，能做系統(tǒng)，也能做芯片的三星，這幾年到底遭了什么降頭？
手機(jī)行業(yè)吃了癟，面板行業(yè)被國內(nèi)廠商逐漸挑戰(zhàn)，放棄了自家的芯片架構(gòu)，就連世界上唯二能量產(chǎn) 5nm 以下工藝的芯片代工行業(yè)，都被大家嫌棄的如此之慘？
作為一家傳承多年的公司，三星這幾年拉胯的表現(xiàn)可以說和內(nèi)斗脫不了關(guān)系。
這幾年下來，我們也能刷到不少這類三星新聞，包括什么良品率不足欺上瞞下啊，什么論資排輩，部門之間還互相嫌棄。。。咱能想到的想不到的內(nèi)斗方式，三星可能都已經(jīng)嘗試過了。
這把三星太子急的， 2021 年 8 月李在镕 “ 為國 ” 出獄后，還沒三個月，公司內(nèi)部就來了一波不小的人事調(diào)整。
三星移動部門，三星消費(fèi)電子和設(shè)備解決方案部門的三位 CEO 都被撤下，還將前兩個部門合并成為了新部門 SET 。
又過了一段時間，李在镕還把之前閃存開發(fā)部門的領(lǐng)導(dǎo)宋在赫調(diào)到了半導(dǎo)體研發(fā)部門擔(dān)任最新的負(fù)責(zé)人，派半導(dǎo)體設(shè)備解決方案部門的全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施副總裁南錫宇，來出任晶圓代工制造技術(shù)中心負(fù)責(zé)人。
把過去這兩位在內(nèi)存領(lǐng)域搏殺的大將給派到晶圓代工領(lǐng)域，三星這圖謀半導(dǎo)體之心，可以說是非常明顯了。
畢竟，如果再和過去一樣內(nèi)斗會是什么結(jié)果，已經(jīng)很明顯了。
比良品率下降更恐怖的，就是讓先進(jìn)制程的買家失去信心。
高通和英偉達(dá)，在這里扮演的就是三星的大買家角色。
然而如今這倆一個已經(jīng)跟臺積電合作，緊急推出了 8+Gen1 來應(yīng)對今年聯(lián)發(fā)科的崛起，一個宣布下一代 40 系列游戲顯卡也會基于臺積電的 N4 工藝開發(fā)。
圖源：wccftech
不久之前也有媒體拿到了 8+Gen1 的工程機(jī)測了一下，和之前三星代工的 8Gen1 相比呢。。。也就性能高了一點(diǎn)，功耗更低了一些。。。
這屬實(shí)是撞車不可怕，誰差誰尷尬了。
圖源極客灣
差評君還聽到一個芯片行業(yè)地獄笑話：
過去大家做芯片呢，是一手交錢，一手按消耗的晶圓數(shù)量來給你生產(chǎn)，各家有各家的良品率，能做出多少芯片全憑良品率來摸獎，大家相安無事好多年。
而到了三星這邊，因?yàn)榱计仿蕦?shí)在不好恭維。所以它們變成了按照最后實(shí)際能生產(chǎn)出多少芯片來計算。。。
一手交錢，一手交芯片。
。。。的確是讓三星自個兒都納悶為啥這么差的良品率了。
當(dāng)然，芯片工藝，敗也技術(shù)，成也技術(shù)。
畢竟現(xiàn)在 5nm ， 4nm 的名稱，更多還是廠商用來宣傳自己的工藝節(jié)點(diǎn)的一種叫法，而并沒有絕對的物理意義指代。
為啥三星現(xiàn)在這么尷尬，很大程度上就是因?yàn)樽钚碌男酒斓牟蝗绺舯谂_積電好，良品率，功耗，晶體管密度都干不過別人。
各家工藝密度圖，來源：Digtimes
所以，如果下回三星造的芯片良品率更好，功耗更低，晶體管密度更優(yōu)秀，那這些煩人的問題不就都解決了嗎。
巧了，三星也是這么想的，而它們壓注的未來，就是 3nm 技術(shù)。
三星，將是世界上第一個邁入 GAA 結(jié)構(gòu)的晶圓廠。
GAA 是啥？簡單來講，它很可能是我們手機(jī) SoC 上會采用的下一代晶體管技術(shù)。
這幾年, 隨著摩爾定律的演變，芯片越做越小了，晶體管的功耗也越來越低，但是隨著晶體管越來越小吧，新的問題——漏電也如期而至。
隨著芯片設(shè)計進(jìn)入納米領(lǐng)域之后，靜態(tài)功耗的漏電問題就開始翻車。
打個比方，如果把晶體管看作一個 “ 開關(guān) ” ，那漏電問題就像是這個開關(guān)沒接通，但是還會存在漏電流。
這就是 “ 短溝道效應(yīng) ” ，想要減少它帶來的漏電功耗，就需要找到新的結(jié)構(gòu)或者新的材料。
在把芯片做到 22nm 之后，大家采用的技術(shù)叫做 FinFET （ 鰭式場效應(yīng)晶體管 ）。
通過 “ 嵌入 ” 的方式增大接觸面積，來獲得更好的漏電控制性能，有點(diǎn)像把之前一維的晶體管做成二維。
而如今芯片越來越小，做到 3nm 的門檻上， FinFET 也不太夠用了。
而這回，大家伙倒騰出來解決問題的未來新工藝，叫做 GAA （ 全環(huán)柵晶體管 ）。
這個就有點(diǎn)像二維變成了三維， FinFET 時的三面環(huán)繞變成了四面環(huán)繞，這樣才能對蠢蠢欲動的電子一網(wǎng)打盡。
根據(jù)三星的報道，和自家的7nm 工藝相比，自家 GAA 的初始版本 3GAE （ 3nm Gate-All _ Around Early ）可以減少 35% 的芯片面積，提高 30% 的性能，降低 50% 的功耗。
這餅看著挺香啊。。。提升 30% 的性能，降低 50% 的功耗。。。有這提升，啥火龍不得乖乖躺下，給咱們變成冰龍。
欸不是，等等等等，你咋是和 2017 年量產(chǎn)的 7nm 工藝來比 3nm 的，為啥不用明顯更接近的 4nm ？
好吧，其實(shí)是三星也給了 3nm 和 4nm 工藝的技術(shù)對比，但是——沒有完全給。
對比圖的的確確是給了一張，但是吧。。。也只有這一張，這橫縱坐標(biāo)的標(biāo)尺呢？比較的起始單位又是多少？
你倒是告訴我強(qiáng)了多少啊？
我看你是完全不懂哦. jpg
作為在 GAA 領(lǐng)域 “ 第一個吃螃蟹的人 ” 咱能理解三星會面臨不少的技術(shù)挑戰(zhàn)。
但是你看看三星計劃要量產(chǎn) 3nm 的時間哈，2022 年第二季度。
本來自家的 5nm 和 4nm 相比臺積電就有些注水，在晶體管密度上就有些落后。
不知道三星這算不算 “ 趕鴨子上架 ” 整出來的初代的 GAA 能否和臺積電的高密度成熟 finFET 來競爭，可能還得打個問號。
在過去，新工藝迭代節(jié)點(diǎn)的第一批產(chǎn)品，也出現(xiàn)過實(shí)際體驗(yàn)的性能反而比不過上一代工藝增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品的情況。（ 比如英特爾 10nm 和 14++ ）
除開兩家公司技術(shù)路線的不同，三星想要在 3nm ，或者 2nm 階段實(shí)現(xiàn)對臺積電的反擊，還得過光刻機(jī)這一關(guān)。
在這方面，臺積電和ASML 可以說是有深厚的革命戰(zhàn)友友誼。
20 年前的 ASML 在光刻領(lǐng)域還是名不見經(jīng)傳，靠的就是和臺積電的深度合作，在對的時間遇到了對的人。
兩家公司一起攜手發(fā)展 193nm 浸潤式光刻技術(shù)。把曾經(jīng)的光刻機(jī)巨頭尼康給趕了出去。
從 20 年前的 45nm 到前些年的 7nm 工藝，靠的都是浸潤式光刻技術(shù)。
三星可不像臺積電有這層關(guān)系，只得看著光刻機(jī)眼紅，另尋它法。
你看出獄沒多久，剛整治完內(nèi)部的李在镕，上周前往歐洲諸國，別的地方?jīng)]多停留，直接就跑到荷蘭去，跟 ASML 的高層與荷蘭的總理談笑風(fēng)生。
這一切的目的，都是為了最新的 EUV （ 極紫外光 ）光刻機(jī)。
總的來說，三星雖然如今在 5nm ， 4nm 的市場失去了先機(jī)，但也不代表著它完全失去了反擊的機(jī)會。
畢竟，芯片行業(yè)是個競爭異常緊湊的市場，曾經(jīng)的頭牌如果走錯一步，可能就會在下一代工藝?yán)锸ヮI(lǐng)先的優(yōu)勢。
萬一臺積電的 3nm FinFET 如果真的因?yàn)榭刂撇蛔」姆嚵四兀?/p>
“ 王權(quán)沒有永恒 ” ，在這個行業(yè)里，領(lǐng)頭羊走岔路可謂是家常便飯。
在過去， 14nm 工藝門后的英特爾是如此，在現(xiàn)在， 7nm 門前的三星也是如此，在未來，在 3nm 門檻上依舊堅(jiān)持選擇用 FinFET 的臺積電可能也如此。
但不論如何，把翻身的機(jī)會寄希望于別人翻車是不靠譜的。
2022 年的 Q2 季度已經(jīng)過了一半多，現(xiàn)在留給三星的時間已經(jīng)不多了。
