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幾個月前，DDR5內(nèi)存成為主流，但三星現(xiàn)在已經(jīng)開始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)過程。在韓國水原的一次研討會上，三星負責測試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來內(nèi)存本身性能的擴大，封裝技術(shù)也需要不斷發(fā)展。該公司證實，它已經(jīng)處于下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)階段，將采用MSAP技術(shù)。
根據(jù)三星的說法，MSAP已經(jīng)被其競爭對手（SK海力士和美光）用于DDR5。那么，MSAP有什么新特點呢？MSAP修正后的半加成工藝允許DRAM制造商創(chuàng)建具有更精細電路的內(nèi)存模塊。這是通過在以前未被觸及的空位上涂抹電路圖案來實現(xiàn)的，這樣可以實現(xiàn)更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內(nèi)存不僅將利用MSAP來加強電路連接，而且還將適應(yīng)DDR6內(nèi)存中增加的層數(shù)。
以前的帳篷法只能在圓形銅板上形成電路圖案的區(qū)域進行涂層，而其他區(qū)域則被蝕刻掉。但在MSAP中，電路以外的區(qū)域都被鍍上了一層，這樣就可以形成更精細的電路。副總裁Ko說，隨著存儲芯片的容量和數(shù)據(jù)處理速度的提高，必須設(shè)計出適合這種情況的封裝。隨著層數(shù)的增加和工藝的復雜化，內(nèi)存封裝市場也將呈指數(shù)級增長。
在扇出（另一種封裝技術(shù)，即把I/O終端放在芯片外面，讓芯片變得更小，同時保留球狀布局）型封裝方面，三星正在應(yīng)用扇出-晶圓級封裝（FO-WLP）和扇出-面板級封裝（FO-LP）。
三星預計其DDR6設(shè)計將在2024年之前完成，但預計2025年之后才會有商業(yè)使用的可能。就規(guī)格而言，DDR6內(nèi)存的速度將是現(xiàn)有DDR5內(nèi)存的兩倍，傳輸速度可達12800 Mbps（JEDEC），超頻后的速度可超過17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200 Mbps，在JEDEC標準下提高了1.7倍，在下一代內(nèi)存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。
除了介紹新技術(shù)外，內(nèi)存制造商強調(diào)了在未來我們可以看到DDR5-12600規(guī)格產(chǎn)品的出現(xiàn)，DDR5也有潛力繼續(xù)用于消費平臺。預計今年晚些時候，隨著AMD的Zen 4和英特爾的Raptor Lake CPU平臺的推出，DDR5內(nèi)存模塊的速度會更快，調(diào)整的幅度也更大。
