（一）
美國即將簽署價值約527億美元的芯片法案，包括為晶圓廠提供價值約240億美元的投資稅收抵免。但該法案明確要求，獲得補貼的半導體廠商，在未來10年內(nèi)不得在中國大陸投資擴產(chǎn)先進制程芯片產(chǎn)能；如果是投資擴產(chǎn)成熟制程芯片，則不會受到限制。也就是說，包括臺積電南京廠、松江廠，三星西安廠，SK海力士無錫廠、大連廠，以及美光、英特爾位于西安、上海、成都等地的廠房和設備，在未來10年內(nèi)仍有可能繼續(xù)投資擴產(chǎn)；甚至，中國臺灣、韓國、美國半導體廠商在未來依然有可能在中國大陸建立新的廠房。
而問題的關鍵在于，美國商務部今后會如何定義成熟制程。美國國會在討論芯片法案的過程中，不少議員屢屢提出應該大幅設限在中國大陸的投資，更是強調(diào)美國納稅人的補貼絕不能用于替中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)擴張做嫁衣。最終，美國只允許半導體廠商在中國大陸投資擴產(chǎn)成熟制程芯片，先進制程芯片則被美國一律禁止。目前，就邏輯芯片而言，是以28nm及以上制程工藝劃歸為成熟制程。而存儲芯片（存儲器）、模擬芯片等關于成熟制程的認定，則是由美國商務部協(xié)同美國國防部、美國國家情報部門，通過共同商議后決定。
現(xiàn)階段，臺積電向美國申領芯片補貼，以便在美國亞利桑那州投建先進制程芯片工廠，當然也能繼續(xù)運營南京廠、松江廠28nm制程工藝產(chǎn)線。不過，未來10年內(nèi)在獲得美國的補貼后，臺積電南京廠16nm制程工藝產(chǎn)線無論是擴大產(chǎn)能或者升級設備，都必須向美國歸還補貼資金。
當前仍在西安生產(chǎn)3D NAND閃存的三星，在大連、無錫生產(chǎn)NAND閃存、DRAM內(nèi)存的海力士，以及在上海、成都、西安等地設有CPU、DRAM封測廠的英特爾、美光，在獲得美國的補貼后，在中國大陸投資擴產(chǎn)同樣會受到限制。而且，上文已經(jīng)提到，三星、海力士、英特爾、美光在中國大陸進行投資時，對成熟制程的定義，還要等美國商務部最終拍板。
以三星為例，截至2021年底，各大原廠NAND閃存主力制程仍在96層與128層，預計176層NAND閃存產(chǎn)能占比可望提在2022年提升到25%以上。三星3D NAND堆疊層數(shù)已經(jīng)落后于美光、海力士，美光——海力士均已量產(chǎn)176層NAND閃存，三星通過新聞稿正式公布的V-NAND量產(chǎn)仍停留在128層。假設美國商務部隨后認定3D NAND閃存以128層及以上為先進制程，那么受到波及的三星、海力士在中國大陸可能只得量產(chǎn)96層及以下的NAND閃存芯片，從成本和效益角度來看顯然不怎么劃算。
再有，美國對成熟制程的定義應該不是一直不變的。以邏輯芯片為例，臺積電其實仍有機會在中國南京廠導入16nm制程工藝量產(chǎn)。因為，芯片法案簽署執(zhí)行后，美國商務部必須要在2年內(nèi)采納業(yè)界意見，重新定義成熟制程，然后公示于眾。這意味著，當半導體產(chǎn)業(yè)在未來2年進入3nm/2nm先進制程工藝量產(chǎn)后，16nm/14nm制程工藝就有可能被美國商務部定義為成熟制程。
同樣的情況也適用于存儲芯片。如果現(xiàn)階段96層3D NAND閃存被美國商務部認定為成熟制程，那么在未來2年后有可能進一步放寬，即把128層3D NAND閃存重新定義為成熟制程。美國商務部更新標準的前提，則是在于半導體產(chǎn)業(yè)技術如何演進。在未來10年的補助期內(nèi)，美國商務必須每2年檢討一次，公示于眾。但三星、海力士從成本和效益角度考慮，應該是不愿意在中國大陸只投產(chǎn)被定義為成熟制程的存儲芯片。
有必要補充的是，三星西安廠3D NAND產(chǎn)線，從2012年動土至今，連同晶圓廠、封測廠共計投資260億美元。西安廠業(yè)已導入128層NAND量產(chǎn)，該廠產(chǎn)能占三星全球NAND產(chǎn)能的43%，同時也占全球NAND產(chǎn)能的15%，不僅以服務中國內(nèi)地市場需求為優(yōu)先，也將一部分出口海外市場。在2021年底從英特爾手中獲得大連NAND晶圓廠的海力士，正試圖擴大在NAND市場的版圖。
（二）
先前，美國只限制10nm及以下先進制程設備出售到中國大陸；如今，美國將限制范圍擴大到14nm制程設備。不僅如此，美國還進一步擴大限制對象，即在中國大陸地區(qū)運營的其他芯片制造廠商，例如臺積電和臺聯(lián)電等，也可能受到波及。而且，需要特別指出的是，雖然美國此次對14nm及以下先進制程設備進行限制，但仍然有可能會對成熟制程芯片的生產(chǎn)帶來不利影響。因為，芯片制造廠商在轉向更加復雜的工藝節(jié)點時，許多舊設備仍可繼續(xù)使用；所以，美國限制中國大陸地區(qū)的芯片制造廠商獲得新一代半導體設備，可能會對芯片制造產(chǎn)業(yè)帶來長期連鎖反應。
美國半導體設備制造商LAM（泛林集團）和KLA（科磊）分別表示，已經(jīng)收到美國商務部的通知，14nm及以下先進制程芯片設備將限制銷往中國大陸。知情人士透露，近期，所有美國半導體設備廠商都已陸續(xù)收到美國商務部的通知，要求美國半導體設備廠商不得向中國大陸地區(qū)供應14nm及以下制程工藝設備。
目前，半導體前道設備主要有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入設備、化學機械研磨設備（CMP設備）、清洗設備、前道檢測設備和氧化退火設備共八大類。前道設備用于晶圓制造，過程涵蓋成百上千道工序。而前道設備市場主要由美歐日企業(yè)壟斷，幾家頭部半導體設備大廠，即美國AMAT（應用材料）占比約17.0%，荷蘭ASML（阿斯麥）占比約16.6%，日本TEL（東京電子）占比約12.5%，美國LAM（泛林集團）占比約11.2%，美國KLA（科磊）占比約6.3%，合計占比近64%。
事實上，美國三大半導體設備廠商AMAT、LAM、KLA在全球市場的存在感非常強。以市場調(diào)研機構Gartner提供的數(shù)據(jù)為例，2019年，光刻機市場主要由ASML一家壟斷，占據(jù)83%的市場份額；涂膠顯影/去膠設備市場主要由TEL一家壟斷，占據(jù)91%的市場份額；熱處理設備市場由AMAT、TEL和Kokusai三家壟斷，市場份額占比分別為40%、20%和19%；刻蝕機市場主要由LAM、TEL和AMAT三家壟斷，市場份額占比分別為45%、28%和18%；離子注入設備市場主要由AMAT、Axcelis和SMIT三家壟斷，市場份額占比分別為60%、18%和17%；PVD市場主要由AMAT一家壟斷，占據(jù)85%的市場份額；CVD市場主要由AMAT、LAM和TEL三家壟斷，市場份額占比分別為30%、26%和17%；清洗設備市場主要由SCREEN、TEL和LAM三家壟斷，市場份額占比分別為51%、27%和12%；CMP設備市場由AMAT和Ebara兩家壟斷，市場份額占比分別為66%和28%；流程控制設備市場主要由KLA、AMAT和Hitachi三家壟斷，市場份額占比分別為54%、11%和9%。
此外，近日還有傳言，在過去幾個月以來，美國正在評估對中國大陸實施新的出口限制——擬就用于芯片生產(chǎn)的EDA軟件工具對中國大陸進行出口管制（使用環(huán)繞柵極GAA技術制造芯片所必需的軟件工具），主要目的之一是阻礙中國大陸人工智能進步。如果傳言屬實，則意味著美國已經(jīng)從半導體設備到EDA軟件工具對中國大陸進行限制。知情人士透露，美國近幾個月來一直在評估對中國大陸實施潛在出口限制，已選擇責令美國商務部發(fā)布新的規(guī)定，將禁止用于生產(chǎn)人工智能AI芯片所需的EDA軟件設計工具出口至中國大陸。
廣義的EDA涵蓋了工藝平臺開發(fā)，芯片設計以及芯片制造三個階段，各階段均存在對應的EDA工具，其中工藝平臺開發(fā)和芯片制造環(huán)節(jié)主要運用制造類EDA 工具。狹義的EDA概念代指的EDA設計類工具，主要運用于芯片設計，可粗略分為模擬類EDA工具與數(shù)字類EDA工具。
同樣的，美國三大EDA廠商，即新思科技、鏗騰電子、西門子EDA在全球市場也占據(jù)統(tǒng)治地位。當前全球EDA市場處于新思科技、鏗騰電子、西門子 EDA三家廠商壟斷的格局，行業(yè)高度集中，2020年三大國際EDA巨頭在全球市場的占有率超過77%。復盤過往歷史可知，三大巨頭均是以EDA產(chǎn)品為錨，在持續(xù)高研發(fā)投入的同時，通過不斷拓展、兼并、收購實現(xiàn)各環(huán)節(jié)各設計環(huán)節(jié)覆蓋，逐步形成全流程解決方案，并最終實現(xiàn)寡頭壟斷格局。當前三巨頭新思科技、鏗騰電子、西門子EDA在超過30年的發(fā)展中，各自進行過50起以上的兼并收購，其中新思科技更是通過100起以上的兼并收購成為全球第一大EDA廠商，構建了較高的生態(tài)壁壘。
（我為科技狂整理）
