據(jù)韓聯(lián)社6月22日消息,三星電子預(yù)計將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片,下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around(GAA)技術(shù)之上。三星稱,與現(xiàn)有的FinFET工藝相比,該技術(shù)將使芯片面積減少45%,同時性能提高30%,功耗降低50%。
今年5月美國總統(tǒng)拜登訪韓時參觀了三星的平澤工廠,三星向其展示了該公司的3納米芯片。
三星與臺積電在芯片制造領(lǐng)域保持激烈競爭。全球最大的合約芯片制造商臺積電表示,它將在今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。而此前三星表示,其2納米工藝節(jié)點正處于早期開發(fā)階段,計劃在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。