1.化學(xué)位移是由于電子的屏蔽作用而引起的核磁共振吸收位置的移動(dòng)。
2.化學(xué)位移絕對(duì)值的差別很小，要精確測(cè)量難度很大，所以需要選定一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，將其核磁共振吸收峰的位置定為零，采用相對(duì)數(shù)值表示法來(lái)表示化合物吸收峰的位置。
3.常用的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)為四甲基硅烷（TMS）， 化學(xué)位移=0。
原因：
（1）TMS為對(duì)稱分子，四個(gè)甲基上所連H化學(xué)環(huán)境相同，屬于化學(xué)等價(jià)質(zhì)子，其吸收峰只有一個(gè)；
（2）硅與碳屬于同一主族元素，電負(fù)性相差不大，TMS中的質(zhì)子所受屏蔽作用較大，共振吸收峰出現(xiàn)在高場(chǎng)。
4.絕大多數(shù)有機(jī)物中質(zhì)子所受屏蔽效應(yīng)比TMS 小，吸收峰處于低場(chǎng)，在TMS吸收峰的左側(cè)
5.影響化學(xué)位移的因素
(1) 電負(fù)性：
吸電子基團(tuán)使得H核周?chē)?span id="3rxr23w" class="wpcom_tag_link">電子云密度降低，屏蔽效應(yīng)減小，化學(xué)位移值 增大；
給電子基團(tuán)使得H核周?chē)碾娮釉泼芏壬?，屏蔽效?yīng)增大，化學(xué)位移值 減小。
(2) 值會(huì)隨著H核與吸電子基團(tuán)距離的增大而減小。
（可理解為：H核距離吸電子基團(tuán)越遠(yuǎn)，H核周?chē)娮釉泼芏冉档偷迷缴?，屏蔽效?yīng)越大，化學(xué)位移越?。?/p>
總結(jié)：
(1)化學(xué)位移與H核周?chē)碾娮釉泼芏扔嘘P(guān)，可根據(jù)H核周?chē)碾娮釉泼芏扰袛嗷衔镂辗迮c標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)吸收峰的位置關(guān)系。
(2)處于屏蔽區(qū)的質(zhì)子，化學(xué)位移向高場(chǎng)移動(dòng)；處于去屏蔽區(qū)的質(zhì)子，化學(xué)位移向低場(chǎng)移動(dòng)。
(3)高場(chǎng)位于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的右邊，低場(chǎng)位于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的左邊。
例如：鹵素原子為吸電子基團(tuán)，H核周?chē)碾娮釉泼芏冉档停帘涡?yīng)減小，化學(xué)位移值 增大，位于低場(chǎng)，在標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)吸收峰的左邊。
祝各位小伙伴們端午節(jié)快樂(lè)！過(guò)節(jié)也不忘學(xué)習(xí)哦~~~
