集微網(wǎng)消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月16日，據(jù)路透社報(bào)道，臺(tái)積電高管周四表示，該公司將在2024年擁有ASML下一代最先進(jìn)的芯片制造工具。
報(bào)道稱，這種名為 “Hign-NA(高數(shù)值孔徑) EUV “的工具能產(chǎn)生聚焦光束，在用于手機(jī)、筆記本電腦、汽車和人工智能設(shè)備（如智能音箱）的計(jì)算芯片上創(chuàng)建微電路。其中，EUV代表極紫外光，是ASML最先進(jìn)機(jī)器所使用的光波長(zhǎng)。
圖源：路透社
“臺(tái)積電將在2024年引入Hign-NA EUV光刻機(jī)，以開發(fā)客戶所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和圖案化解決方案，并推動(dòng)創(chuàng)新。”臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁Y.J. Mii在硅谷舉行的臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上表示。
不過，他沒有透露這一用于制造更小更快芯片的第二代EUV光刻機(jī)何時(shí)用于大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)悉，臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾也已表示將在 2025 年之前使用下一代光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)，并表示將率先收到該機(jī)器。
報(bào)道指出，隨著英特爾進(jìn)入其他公司設(shè)計(jì)的芯片制造業(yè)務(wù)，它將與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)這些客戶。
臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Kevin Zhang后來澄清表示，臺(tái)積電不會(huì)在2024年準(zhǔn)備使用新的High-NA EUV工具進(jìn)行生產(chǎn)，將主要用于與合作伙伴進(jìn)行研究。
但參加研討會(huì)的TechInsights芯片經(jīng)濟(jì)學(xué)家Dan Hutcheson說：”臺(tái)積電在 2024 年擁有它，意味著他們可以更快地獲得最先進(jìn)的技術(shù)?！?/p>
“High-NA EUV是下一代科技的重大創(chuàng)新，將使芯片技術(shù)處于領(lǐng)先地位，”Hutcheson補(bǔ)充道。
報(bào)道稱，臺(tái)積電周四還就其2nm芯片的技術(shù)提供了更多細(xì)節(jié)，據(jù)稱該芯片有望在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。臺(tái)積電表示，該公司已經(jīng)花了15年時(shí)間開發(fā)所謂的 “納米片 （nanosheet）”晶體管技術(shù)，以提高速度和功率效率，并將在其2nm芯片中首次使用該技術(shù)。（校對(duì)/隱德萊希）
